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电子元器件详细资料 » IC[19317] » FQB6N70TM
型号:FQB6N70TM类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
系列QFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)700V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6.2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.5 欧姆 @ 3.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs40nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1400pF @ 25V
功率_最大3.13W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D²PAK
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市鑫远鹏科技有限公司谌小姐15112667855
深圳市格雷迪电子有限公司林先生15914072177
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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